この研究は、サイトカイン受容体関連遺伝子の発現に対する50 Hzの超低周波(ELF)正弦波磁界(MF)の影響をHL60細胞で調べた。ELF MFばく露を受けた細胞における、腫瘍壊死因子受容体(TNFR)のp55およびp75、インターロイキン6受容体アルファ(IL-6Rα)および形質転換増殖因子ベータ受容体1(TGFβ- R1)の転写レベルを定量測定した。ELF MFの強度は0.1または0.8 mT、ばく露時間は30分から72時間までの範囲であった。10 nMのホルボール12-ミリスチン酸13-アセテート(PMA)で8時間処理した細胞を陽性対照として用いた。遺伝子発現量は、リボヌクレアーゼ保護アッセイ(RPA)で測定し、非誘導遺伝子GAPDHの発現量に対して正規化した。その結果、72時間の0.1および0.8 mTばく露で、HL60細胞のTNFR p75およびIL-6RαのmRNA発現が増加した;しかし、TNFR p55およびTGFβ- R1の遺伝子発現レベルの有意な変化は、どのばく露条件下でも観察されなかった、と報告している。
The field intensities were chosen because their similarity to occupational exposure levels.
周波数 | 50 Hz |
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タイプ |
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波形 |
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ばく露時間 | continuous for 0.5 h, 1 h, 2 h, 4 h and 8 h |
ばく露の発生源/構造 | |
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ばく露装置の詳細 | 3 groups of square copper coils (36 x 36 cm), spaced 18 cm apart from each other; the coils provided a very uniform magnetic field in the area of 10 x 10 x 10 cm³ where the cell cultures were located; the coils were placed in a µ-metal container. Sham and positive control cells treated with phorbol 12 myristate 13-acetate were placed in an identical incubator where the conditions were same as for the exposure groups but without magnetic field. Control and sham exposures took place for 8 h. |
周波数 | 50 Hz |
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タイプ |
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波形 |
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ばく露時間 | continuous for 12 h, 24 h, 36 h, 48 h and 72 h |
ばく露の発生源/構造 |
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Additional information | Control and sham exposures took place for 8 h and 72 h, respectively. |
0.1及び0.8mTでの72時間の磁界ばく露は、ヒト細胞のTNF-Rp75及びIL-6Rαの遺伝子発現レベルを増加させた:TNF-Rp55及びTGFβR1の遺伝子発現レベルに有意な変化は認められなかった。
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