この研究は、超低周波磁界(ELF-EMF)によるヒト神経膠腫細胞UVWへの細胞毒性影響を、マイクロサテライトシーケンスを含めたDNA損傷をより高感度で検出できる方法を用いて調べた。その結果、1 mT(50 Hz)磁界の単独ばく露(12時間)において、0.011変異/遺伝子座/細胞が生じた;これは、無ばく露対照と比べ、突然変異誘発の3.75倍増加に相当した;また、ELF-EMFは、0.3および3Gyのガンマ線照射の突然変異能をそれぞれ2.6倍および2.75倍増加させた;以上の知見は、ELF-EMFが単独でも変異原性であるだけでなく、電離放射線の変異原性を増強できることも示唆している、と報告している。
マイクロサテライト分析で変異原性作用を決定した。
3種類の突然変異を調査した:1) 対立遺伝子のサイズの変化、2) 異型接合状態の喪失(照射時点での1つの細胞における欠失の結果)、3) 対立遺伝子の不均衡(放射線障害後に複数の細胞分裂が生じる)。
細胞を非ばく露(対照群)、電磁界ばく露及び共ばく露(電磁界+ガンマ線)した。
ばく露 | パラメータ |
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ばく露1:
50 Hz
ばく露時間:
12 h continuous
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cells were treated in the following ways: i) 0 Gy gamma-irradiation + EMF ii) 0.3 Gy gamma-irradiation + EMF iii) 3 Gy gamma-irradiation + EMF
周波数 | 50 Hz |
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タイプ |
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ばく露時間 | 12 h continuous |
ばく露の発生源/構造 | |
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ばく露装置の詳細 | 2 solenoids, 300 mm long with a diameter of 120 mm each, consisting of 400 turns of 1.5 mm copper wire with additional 52 turns of wire at either end of the coils, that could be energised seperately; uniformity of the field inside the solenoids > 99 %; cells placed in T25 flasks inside the solenoids |
Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
測定量 | 値 | 種別 | Method | Mass | 備考 |
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磁束密度 | 1 mT | - | - | - | - |
細胞の1mT(50Hz)の超低周波電磁界への12時間の単独ばく露は、非ばく露対照群と比較して、突然変異誘導に3.75倍の増加を示した。
共ばく露では、0.3及び3Gyのガンマ線による変異原性作用の増加が明らかになった。更に、0.3Gyでの処理は3Gyと比較して、単位線量あたり10倍以上の突然変異を生じた。
これらの結果は、超低周波電磁界は単独の因子として変異原性があるだけでなく、電離放射線の変異原性を高め得ることを明らかにした。
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