この研究は、ラットを用いて、高周波電磁界ばく露による脳への影響(血液脳関門(BBB)透過性およびニューロン損傷)の関連する遺伝子発現の変化を調べた。著者らは先行研究で、915 MHzのGSM変調電磁界(全身平均SARは200、20、2、および0.2 mW / kg)の2時間ばく露を受けたラットで、無ばく露ラットに比べBBBからのアルブミンの有意な漏出が見られたこと、また、ばく露から数週間後の脳で有意なニューロン損傷が生じたことを報告した。今回の実験は、無響チャンバ内でFischer 344ラットに一度に1匹ずつ、1800 MHzのGSM変調電磁界(全身平均SARは13 mW / kg、これは脳組織のSARでは30 mW / kgに相当する)の6時間ばく露を与え、先行研究で脳の毛細血管からニューロンへのアルブミン漏出およびニューロン損傷が観察された大脳皮質および海馬領域における遺伝子発現パターンへの影響が見られるか否かを調べた。擬似ばく露群は同じ時間、ばく露なしで無響チャンバ内に置かれた。スプライシングバリアントを含む31,099個のラット遺伝子のマイクロアレイ解析を、ばく露群および擬似ばく露群(どちらも4匹)の大脳皮質および海馬について行った。その結果、擬似対照群との比較においてばく露群で差次的に発現した遺伝子についての遺伝子オントロジー解析により、皮質と海馬の両方で、細胞外領域、信号変換活動、膜に固有、膜に不可欠などの遺伝子カテゴリーでの変化が大きいことが示された;これらのカテゴリーのほとんどが膜機能と関連しているという事実は、脳毛細血管からのアルブミン漏出に関する先行研究の観察に関係があるかもしれない、と報告している。
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To study whether exposure to the irradiation from a GSM mobile phone at 1800 MHz has an effect upon the gene expression pattern in rat brain cortex and hippocampus.
8 male rats were assigned to an exposure group (n=4) and a sham exposure group (n=4). The SAR-level for the brain was with 30 mW/kg below the limit for mobile phone emissions set by ICNIRP.
周波数 | 1,800 MHz |
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タイプ |
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ばく露時間 | continuous for 6 h |
Modulation type | pulsed |
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Pulse width | 0.57 ms |
Repetition frequency | 217 Hz |
ばく露の発生源/構造 |
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チャンバの詳細 | 1000 mm x 1100 mm x 2050 mm anechoic chamber made of six demountable plywood board panels laminated with copper foil and covered with absorbing material on the inside; directional antenna placed in the top part of the chamber |
Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
The genes did not significantly discriminate between exposed and sham exposed animals. The gene oncology analysis of the differentially expressed genes of both groups revealed four highly significant altered gene categories in both cortex and hippocampus (transmembrane receptor activity, receptor activity, cell surface receptor linked signal transduction and G-protein coupled receptor signaling pathway).
Most of these categories are connected with membrane functions what indicates that the cell membrane is an important target for electromagnetic field effects.
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