血管拡張性運動失調症変異(ATM)は、DNA損傷の修復において中心的な役割を担っており、その欠損はDNA損傷因子に対する細胞の感受性を生じ得る。この研究は、ATM-proficient(Atm+/+)及びATM欠損(Atm-/-)のマウス胚性線維芽細胞におけるDNA損傷に対する、50 Hz磁界の影響を調べた。Atm+/+細胞を2.0 mTの50 Hz磁界に15分間ばく露したところ、疑似ばく露群とばく露群でγH2AXフォーカスの平均数(9.37 ± 0.44 vs. 9.08 ± 0.28、P = 0.58)またはγH2AXフォーカス陽性細胞の割合(49.22 ± 1.86% vs. 49.74 ± 1.44%、P = 0.83)に有意差は認められなかった。ばく露を1時間または24時間に延長しても、γH2AXフォーカス形成に有意な変化は認められなかった。Atm-/-でも同様に、ばく露はγH2AXフォーカス形成に有意な影響を及ぼさなかった。更に、どちらの細胞でも、磁界ばく露はDNA断片化、細胞生存率、または細胞周期進行に有意な影響を及ぼさなかった、と著者らは報告している。
周波数 | 50 Hz |
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タイプ |
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波形 |
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ばく露時間 | 15 minutes, 1 hour or 24 hours |
Additional information | genotoxicity tests and cell cycle distribution |
ばく露の発生源/構造 | |
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チャンバの詳細 | cells were cultured and exposed in a dish |
ばく露装置の詳細 | magnetic field was generated with two shielded, 4-coil systems, respectively placed inside a µ-metal box chamber which was situated inside an incubator to maintain constant cell culture conditions; electric fields were below 1 V/m, no measurable temperature differences and vibrations (manufacturer information); coil current and chamber temperature were continuously monitored and temperature differences between exposed and sham exposed cells were below 0.1°C |
Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
Additional information | for the sham exposure, the same setup was utilized but currents were switched non-parallel |
測定量 | 値 | 種別 | Method | Mass | 備考 |
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磁束密度 | 2 mT | effective value | - | - | - |
周波数 | 50 Hz |
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タイプ |
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波形 |
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ばく露時間 | 1 hour or 24 hours |
Additional information | cell viability |
ばく露の発生源/構造 |
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チャンバの詳細 | cells were cultured and exposed in a 96-well plate |
Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
測定量 | 値 | 種別 | Method | Mass | 備考 |
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磁束密度 | 2 mT | effective value | - | - | - |
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