Studienübersichten

Bitte beachten Sie, dass eine Publikation mehreren Endpunkten zugeordnet sein kann, d.h. die Summe der Publikationen aus den einzelnen thematischen Punkten und Unterpunkten kann größer als die Gesamtsumme der tatsächlichen Publikationen sein.

Experimentelle Studien zu magnetischen Netzfrequenzfeldern (50/60 Hz)

2053 Studien insgesamt
  1. 765 Studien
  2. 637 Studien
  3. 517 Studien
  4. 414 Studien
  5. 330 Studien
  6. 208 Studien

DNS, Proteine und oxidativer Stress

637 Studien insgesamt
  1. 257 Studien
  2. 212 Studien
  3. 184 Studien
  4. 47 Studien

Genotoxizität 212 Studien insgesamt

Autoren Jahr Exponiertes System Parameter Magnetische Flussdichte/Feldstärke
Ivancsits S et al. 2002 intakte Zelle/Zellkultur (in vitro), menschliche Fibroblasten magnetisches Feld, 50/60 Hz 20–2.000 µT
Ivancsits S et al. 2003 intakte Zelle/Zellkultur (in vitro), menschliche Fibroblasten magnetisches Feld, Niederfrequenz, 50/60 Hz 20 µT–1 mT
Ivancsits S et al. 2003 intakte Zelle/Zellkultur (in vitro), menschliche Fibroblasten magnetisches Feld, 50/60 Hz 1 mT
Scarfi MR et al. 2005 intakte Zelle/Zellkultur (in vitro), menschliche Fibroblasten magnetisches Feld, 50/60 Hz, Hochspannungsfreileitung 1 mT
Burdak-Rothkamm S et al. 2009 intakte Zelle/Zellkultur (in vitro), menschliche Fibroblasten magnetisches Feld, 50/60 Hz 50–1.000 µT
Simko M et al. 1999 intakte Zelle/Zellkultur (in vitro), menschliche Fruchtwasser-Zellen magnetisches Feld, 50/60 Hz, Ko-Exposition 1 mT
Zhu K et al. 2016 intakte Zelle/Zellkultur (in vitro), menschliche Linsen-Epithel-Zellen (HLEC) magnetisches Feld, 50/60 Hz 0,4 mT
Scarfi MR et al. 1999 intakte Zelle/Zellkultur (in vitro), menschliche Lymphozyten magnetisches Feld, 50/60 Hz 0,05–1 mT
Frazier ME et al. 1990 intakte Zelle/Zellkultur (in vitro), menschliche Lymphozyten elektrisches Feld, magnetisches Feld, 50/60 Hz 50 µT–1 mT
Tofani S et al. 1995 intakte Zelle/Zellkultur (in vitro), menschliche Lymphozyten magnetisches Feld, statisches Magnetfeld, 50/60 Hz, Gleichstrom, Ko-Exposition, Abschirmung/Feld-Entzug 42–150 µT