この研究は、ヒト末梢血リンパ球を用いて、50Hz磁界の単独ばく露、または化学的突然変異誘発物質マイトマイシンCまたはX線との組み合わせばく露後に細胞遺伝学的調査を実施した。その結果、2500 μTまでの磁界は、染色体異常および姉妹染色分体交換頻度に有意な影響を与えなかった;組み合わせばく露において、ELF磁界と突然変異原の間の相乗的、増強的、または拮抗的効果の存在は何も示されなかった;2つの例外が見られた(培養前および培養中に504 μTばく露を受けた細胞での姉妹染色分体交換頻度の有意な減少; 88.4μT存在下のX線照射群での、X線照射単独群に比べた染色体異常頻度の有意な増加)、と報告している。
ばく露 | パラメータ |
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ばく露1:
50 Hz
ばく露時間:
during entire cultivation time
EMF exposure only
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ばく露2:
50 Hz
ばく露時間:
30 min up to entire cultivation period
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ばく露3:
50 Hz
ばく露時間:
entire cultivation period
EMF + X-rays; x-irradiation prior to cultivation
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ばく露4:
50 Hz
ばく露時間:
2 h continuous
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Experiments were done in three groups: i) EMF exposure only ii) EMF exposure + Mitomycin C iii) EMF exposure + X-rays
周波数 | 50 Hz |
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タイプ |
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ばく露時間 | during entire cultivation time |
Additional information | EMF exposure only |
ばく露の発生源/構造 |
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ばく露装置の詳細 | 380 turns of 1 mm² wire |
Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
測定量 | 値 | 種別 | Method | Mass | 備考 |
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磁束密度 | 2,500 µT | maximum | 測定値 | - | 62.8, 80, 88.4, 504, 1061, 1750, 2500 µT |
周波数 | 50 Hz |
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タイプ |
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ばく露時間 | 30 min up to entire cultivation period |
Additional information | EMF exposure + MMC |
Additional information | the following combinations where examined (were x stands for the applied magnetic field strength): i) 0 µT + 0 µg/ml MMC (sham) ii) 0 µT + 0.1 µg/ml MMC (cells were exposed to MMC for 2 h prior to cell cultivation) iii) 0 µT + 0.1 µg/ml MMC (cells were exposed during the entire cultivation time) iv) x µT (30 min before cultivation) + 0 µg/ml MMC v) x µT (30 min before cultivation) + 0.1 µg/ml MMC (during cultivation) vi) x µT (during cultivation time) + 0 µg/ml MMC vii) x µT (during cultivation time) + 0.1 µg/ml MMC (only for 2 h before cultivation) viii) x µT + 0.1 µg/ml MMC (both during cultivation time) |
ばく露の発生源/構造 |
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Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
測定量 | 値 | 種別 | Method | Mass | 備考 |
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磁束密度 | 1,750 µT | maximum | 測定値 | - | 88.4, 504, 1061, 1750 µT |
7つの磁束密度での超低周波磁界への単独ばく露は、染色体異常及び姉妹染色分体交換頻度に有意に影響しなかった。
全体として、共ばく露された細胞には共変異原効果は認められなかった。但し、細胞培養前及び培養中に共ばく露された細胞(マイトマイシンC処理、504µT)では、姉妹染色分体交換頻度の統計的に有意な減少が認められた。また、エックス線照射後に88.4µT磁界の存在下で細胞を培養した場合、エックス線の単独照射と比較して、染色体異常頻度の有意な増加が認められた。
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