この研究は、培養アストログリア細胞に対する静磁界、正弦波(50 Hz)磁界、および静/正弦波の組み合わせ磁界へのばく露の影響を調べた。コンフルエント(非常に接近・密集した状態)の初代培養アストログリア細胞に、1 mTの正弦波磁界、静磁界、または組み合わせ磁界への1時間ばく露を与えた。2番目の実験として、細胞に1時間、2時間、および4時間の組み合わせ磁界ばく露を与えた。この2つの実験ではばく露終了の24時間後にアストログリア細胞のhsp25、hsp60、hsp70、アクチン、およびグリア線維性酸性タンパク質の含有量を免疫ブロット法により測定した。その結果、これらのタンパク質の含有量に関して、対照細胞とばく露細胞の間に有意な差は見られず、細胞形態の変化も観察されなかった。3番目の実験として、1 mTの静/正弦波の組み合わせ磁界への慢性ばく露(11日間)が培養アストログリア細胞の増殖に与える影響を調べた。その結果、対照群、擬似ばく露群、ばく露群の間に有意差は見られなかった。以上の知見は、1 mTの正弦波、静磁界、または組み合わせ磁界へのばく露が、培養アストログリア細胞でのストレス、細胞骨格タンパク質レベル、またはその増殖に有意な影響を及ぼさないことを示す、と報告している。
1) 1mTの正弦波磁界または静磁界、あるいは複合磁界への1時間のばく露後、ストレスタンパク質HSP25、HSP60及びHSP70、ならびに細胞骨格タンパク質アクチン及びGFAPのレベルを判定した。2) 静磁界/正弦波磁界への1、2及び4時間の複合ばく露後のタンパク質への影響を調べた。3) 培養した星状膠細胞の増殖に対する複合磁界への慢性(11日間)ばく露の影響を調査した。
周波数 | 50 Hz |
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タイプ |
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波形 |
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ばく露時間 | continuous for 1 h |
Additional information | Combination of AC and DC field |
Additional information | + DC of the same magnitude |
ばく露の発生源/構造 |
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Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
周波数 | 50 Hz |
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タイプ |
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波形 |
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ばく露時間 | continuous for 1 h, 2 h and 4 h |
Additional information | Combination of AC and DC field |
Additional information | + DC of the same magnitude |
ばく露の発生源/構造 |
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Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
周波数 | 50 Hz |
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タイプ |
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波形 |
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ばく露時間 | continuous for 11 days |
Additional information | Chronic exposure |
Additional information | + DC of the same magnitude |
ばく露の発生源/構造 |
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ばく露装置の詳細 | field perpendicular to the flask base |
Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
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