この研究は、著者らの先行研究の続報である。先行研究は、ELF磁界(400 mT)ばく露により、ヒポキサンチン-グアニンホスホリボシルトランスフェラーゼ(HPRT)遺伝子の突然変異が増加すると報告した。これらの変異に磁界(MF)、電界(EF)、またはその両方が関与するか否かは不明であった。そこで今回の研究は、EFばく露用の新しい装置を製作して実験した。その結果、EF(10 V / m、60 Hz)に10時間ばく露したチャイニーズハムスター卵巣(CHO)細胞において、HPRT遺伝子の突然変異の増加が観察された;EFばく露群での突然変異頻度は、擬似ばく露での頻度の約2倍であった、と報告した。したがって、先行研究で観察された400 mT変動磁界で誘導された突然変異の一部は、誘導電界による可能性が示唆されたと考察している。
本研究は、電界、磁界またはその両方へのばく露によって生じる、ヒポキサンチン-グアニンホスホリボシルトランスフェラーゼ(HPRT)遺伝子の突然変異の増加に関する、先行研究(publication 2074 参照)の結果を調査するために実施した。
周波数 | 60 Hz |
---|---|
タイプ |
|
波形 |
|
ばく露時間 | 10 h (exposed or sham exposed) |
ばく露の発生源/構造 |
|
---|---|
チャンバの詳細 | 15 cm diameter dish |
ばく露装置の詳細 | electrodes with plastic holders installed in a dish in CO2 incubator |
Additional information | for sham exposure, the potential remains at 0 mV. |
測定量 | 値 | 種別 | Method | Mass | 備考 |
---|---|---|---|---|---|
電界強度 | 10 V/m | maximum | 測定値 | - | - |
電界ばく露によるHPRTの突然変異頻度は偽ばく露の約2倍であった。
これらのデータは、先行研究で観察されたHPRT遺伝子の突然変異の増加は、部分的には、誘導電界によって生じたことを示唆するものである。
このウェブサイトはクッキー(Cookies)を使って、最善のブラウジングエクスペリエンスを提供しています。あなたがこのウェブサイトを継続して使用することで、私たちがクッキーを使用することを許可することになります。