<目的>高磁束密度の極低周波変動磁界(400mT at 50Hz)曝露による突然変異誘発の細胞周期依存性を検討する。 <方法>ヒトメラノーマ細胞(MeWo)を用いた。磁界は(400mT at 50Hz)で2時間曝露した。突然変異はHPRT遺伝子座(hypoxanthine-guanine phosphoribosyl transferase gene)で、6チオグアニン薬剤耐性をマーカーとした。 <結果>G1/S境界に同調した細胞に、経時的に磁界曝露した結果、S期中期から後期をピークにして突然変異の上昇が見られ、以後突然変異は減少した。従って、強低周波磁界による突然変異誘発はDNA合成エラーを介したS期特異的なものであると示唆される。
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