＜目的＞single ratの脳下垂体細胞にさまざまな強度の50Hz磁界を曝露した時の、細胞内自由カルシウム濃度[Ca^2+]iに対する影響を調べる。 ＜方法＞dual-emissoin microflorimetryを用いる。追加試験は、MTT colorimetric assayを用いた。 ＜結果＞ピークが50μTの垂直な磁界を30分間曝露すると、[Ca^2+]iは基底レベルの185±4nMから326±41nM(S.E;n=150)までlonglastingに増加した。直流磁界の垂直と水平成分はそれぞれ57μTと15μTであった。周辺の50Hz磁界は常に0.1μTrms以下であった。25±2℃と37±2℃で実験を行った。変化の見られた細胞の[Ca^2+]iは309nMまで上昇し同定したところlactorophosであり全下垂体の29％を占めていた。[Ca^2+]i増加の大部分はPN200-110によって阻害される電圧依存性ジハイドロピリミジン感受性カルシウムチャンネルを介したカルシウム流入のためであった。しかし、カルシウムチャンネル阻害剤も培地からのカルシウム除去も、磁界曝露中の[Ca^2+]i増加を完全に抑えることが出来なかった。MTT colorimetric assayを用いた追加実験によって、lactotrophsでのCa^2+ホメオスタシスの変化は、ミトコンドリア内でのプロセス損傷に関係することが分かった。
このウェブサイトはクッキー（Cookies）を使って、最善のブラウジングエクスペリエンスを提供しています。あなたがこのウェブサイトを継続して使用することで、私たちがクッキーを使用することを許可することになります。
