この研究は、携帯電話電磁界(MP-EMF)が、短期記憶(WM)テスト遂行中に誘発した事象関連電位(ERP)の聴覚性P50コンポーネントのパターンに影響を与えるか否かをボランティア実験で調べた。ERPの聴覚性P50コンポーネントは、事前注意処理およびと短期記憶の働きを反映すると考えられている。19人の正常な被験者(女性10人と男性9人)を対象に、被験者の近くに配置されたダイポールアンテナからの900 MHz信号へのばく露が有る場合と無い場合において、WMタスク中に与えた低および高周波数(500および3000 Hz)の2つの警告刺激により誘発されるP50を測定した。その結果、MP-EMFの存在した場合に、Fp1およびO1電極リードで検出された低周波刺激誘発P50の振幅は、MP-EMFが存在しない場合のものと比較して、有意に増加した;対照的に、MP-EMFの存在した場合に、Fp1電極リードで検出された高周波刺激誘発P50の振幅は、MP-EMFが存在しない場合のものと比較して、有意に減少した、と報告している。
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To investigate whether the exposure to mobile phone electromagnetic field affects the patterns of the P50 component of event-related potentials elicited during a working memory test.
The auditory P50 component of event-related potentials reflects pre-attentive processing and working memory operation.
The P50 evoked by two warning stimuli (500 and 3000 Hz) has been assessed in 19 subjects (10 women and 9 men) both without and with exposure to a 900 MHz signal.
周波数 | 900 MHz |
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タイプ |
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ばく露時間 | not specified |
Modulation type | CW |
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ばく露の発生源/構造 |
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Distance between exposed object and exposure source | 20 cm |
チャンバの詳細 | Faraday room |
ばく露装置の詳細 | Subjects sat in an anatomical chair, and the antenna was fixed near their right ear. |
Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
Additional information | The subjects attended two sessions, with and without radiation, in random order and with an interval of two weeks. |
The data showed that the presence of mobile phone electromagnetic fields induced statistically significant increase in the amplitude of P50 evoked by the lower frequency stimuli. In contrast the exposure revealed statistically significant decrease of the amplitude of P50 evoked by the higher frequency stimuli.
Memory performance did not differ between the frequency modalities (lower frequency/higher frequency tone).
These results provide evidence that the electromagnetic fields emitted by mobile phone affect pre-attentive information processing as it is reflected in P50 evoked event-related potential.
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