この研究は、GSM携帯電話からの無線周波電磁界ばく露が、ヒトの聴性脳幹反応に与える急性影響の可能性を調べた。ヒト頭部に、パルス変調されたRF 電磁界(ピーク電力2 W)を15分間連続ばく露し、その直前および直後に聴性脳幹反応を記録した。その結果、ばく露頭側におけるV波潜時が、そのベースライン値と比較して有意に増加した;聴力低下が、ばく露頭側にのみ観察された、と報告している。
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To examine the possible acute effects of radiofrequency exposure emitted by GSM cellular phones. Auditory brainstem response have been recorded before and after the short-term exposure from the common used handy-devices.
Modulation type | pulsed |
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Additional information |
ばく露の発生源/構造 |
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ばく露装置の詳細 | The cellular phone was positioned close to the head while the subjects were lying with their eyes closed in an electrically shielded area. |
Additional information | The output power and the status of the phone (on/off) were controlled by a computer without the knowledge of the subject. |
測定量 | 値 | 種別 | Method | Mass | 備考 |
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電力 | 2 W | peak | 指定なし | - | - |
Wave V latency on the exposed side increased significantly compared to its baseline. A hearing deficiency was found on exposed side only.
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