この研究は、培養細胞への超低周波磁界(ELFMF)ばく露装置を設計、製造し、マウスのC3H10T1/2 clone8細胞の形質転換に対するELFMFの影響を調べた。形質転換病巣のタイプIIおよびタイプIIIを別々に形質転換体として数えた。実験は、ELFMF単独ばく露、および事前のX線(3 Gy)ばく露後にELFMFばく露の2通りを実施した。ELFMFは、真のばく露と擬似ばく露を行い、ばく露レベルは5、50、400 mT、ばく露時間は24時間とした。その結果、擬似ばく露対照群とばく露群(5、50、400 mT)の間に、形質転換の有意差は観察されなかった;X線+ELFMF群における形質転換頻度は、X線単独群と比較して減少していた;培地に12-O-テトラ - デカノイルホルボール-13-アセテート(TPA)を含ませた場合、X線単独群での形質転換頻度はより高くなった;X線+ELFMF群では、TPAを含有する培地中でさえ、形質転換頻度は50、400 mTでわずかに低下した;5 mTでの長期ばく露は、自発的およびX線誘発性のどちらの形質転換も有意に抑制した、と報告している。
ばく露の発生源/構造 |
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測定量 | 値 | 種別 | Method | Mass | 備考 |
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磁束密度 | 400 mT | maximum | - | - | 5, 50, 400mT |
ばく露の発生源/構造 |
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Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
測定量 | 値 | 種別 | Method | Mass | 備考 |
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磁束密度 | 5 mT | - | - | - | - |
偽ばく露した細胞と超低周波磁界にばく露した細胞で、細胞の形質転換に有意差は認められなかった(TPAあり/なしの培地で)。
共ばく露細胞(エックス線+磁界)では、エックス線のみの場合と比較して、細胞の形質転換頻度の低下が認められた。TPAを含む培地では、エックス線のみでの細胞の形質転換頻度は、共ばく露細胞よりも上昇した。
5mTでの長期的なばく露は、自発的な及びエックス線に誘導された細胞の形質転換を有意に抑制した。
まとめると、超低周波磁界へのばく露は細胞の形質転換を誘導しないが、エックス線に誘導された形質転換を抑制する。
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