研究状況の概観

• 2005, Nikolova T, Czyz J, Rolletschek A, Blyszczuk P, Fuchs J, Jovtchev G, Schuderer J, Kuster N, Wobus AM
  [詳細] [電磁界は胚性幹細胞由来の神経前駆細胞におけるアポトーシス関連遺伝子の転写レベルに影響を及ぼす] [med./bio.]
  FASEB J 19 (12): 1686-1688
• 2005, Baohong W, Jiliang H, Lifen J, Deqiang L, Wei Z, Jianlin L, Hongping D
  [詳細] [ヒトリンパ球に4種の化学的突然変異原と共に1.8GHz 無線周波電磁界放射が誘発した相乗的損傷作用に関するコメットアッセイによるインビトロ研究] [med./bio.]
  Mutation Research - Fundamental and Molecular Mechanism of Mutagenesis 578 (1-2): 149-157
• 2005, Aitken RJ, Bennetts LE, Sawyer D, Wiklendt AM, King BV
  [詳細] [男性生殖細胞系列のDNA完全性に対する無線周波電磁界の影響] [med./bio.]
  Int J Androl 28 (3): 171-179
• 2005, Diem E, Schwarz C, Adlkofer F, Jahn O, Rüdiger H
  [詳細] [イン・ビトロでのヒト線維芽細胞および形質転換GFSH-R17ラット顆粒膜細胞における携帯電話放射（1800MHz）による非熱的なDNA切断] [med./bio.]
  Mutat Res Genet Toxicol Environ Mutagen 583 (2): 178-183
• 2005, Zeni O, Romano M, Perrotta A, Lioi MB, Barbieri R, d'Ambrosio G, Massa R, Scarfi MR
  [詳細] [900 MHzラジオ周波数電磁界への急性ばく露によるヒトリンパ球での遺伝毒性評価] [med./bio.]
  Bioelectromagnetics 26 (4): 258-265
• 2005, Chang SK, Choi JS, Gil HW, Yang JO, Lee EY, Jeon YS, Lee ZW, Lee M, Hong MY, Ho Son T, Hong SY
  [詳細] [835MHz携帯電話周波数帯電磁界の遺伝毒性評価] [med./bio.]
  Eur J Cancer Prev 14 (2): 175-179
• 2005, Belyaev IY, Hillert L, Protopopova M, Tamm C, Malmgren LO, Persson BR, Selivanova G, Harms-Ringdahl M
  [詳細] [915MHzマイクロ波及び50Hz磁界は過敏症及び健康なヒトからのヒトリンパ球における染色質構造及び53BP1フォーカスに影響する] [med./bio.]
  Bioelectromagnetics 26 (3): 173-184
• 2004, Sarimov R, Malmgren LOG, Markova E, Persson BRR, Belyaev IY
  [詳細] [ヒトリンパ球でのクロマチン転座へのGSMマイクロ波の非熱的影響と熱ショックの類似性] [med./bio.]
  IEEE Trans Plasma Sci 32 (4): 1600-1608
• 2004, Hook GJ, Zhang P, Lagroye I, Li L, Higashikubo R, Moros EG, Straube WL, Pickard WF, Baty JD, Roti Roti JL
  [詳細] [ラジオ周波放射ばく露後のMolt-4細胞でのDNAダメージとアポトーシスの計測] [med./bio.]
  Radiat Res 161 (2): 193-200
• 2003, Lehmann H, Urech M, Pickl C
  Tradescantia Micronucleus Bioassay for Detecting Mutagenicity of GSM-Fields [med./bio.]
  15th International Zurich Symposium and Technical Exposition on Electromagnetic Compatibility, Zurich, Zurich, Switzerland. IEEE: pp. 301-304; ISBN 978-1-5090-3197-9