[超低周波電磁界刺激はLTP/LTD［長期増強／長期抑制］に対して異型性様作用を生じる] med./bio.

この研究は、学習及び記憶形成における超低周波（ELF）電磁界の影響を調べるため、Sprague-Dawleyラットをモデルシステムに用いて、海馬スライスのシェファー-CA1経路のシナプス可塑性に基づく学習及び記憶機序を評価した。15 Hz、2 mTを用いた先行研究に基づき、可塑性の誘導中及び誘導後に1、5、20、100 Hzの基本周波数を印加し、同時にELF電磁界刺激を用いた。その結果、ELF電磁界を可塑性誘導プロトコルと併用した場合、シナプス可塑性に対する最大の影響が認められた。活性が弱いシナプス、またはN-メチル-D-アスパラギン酸（NMDA）受容体を阻害したシナプスには、ELF電磁界は影響しなかった。この結果は、ELF電磁界がシナプス活性化プロセスの修飾物質、ならびにNMDA受容体依存性のシナプス可塑性の調整役として作用する異型性様の役割を担っていることを示すものである、と著者らは結論付けている。