この研究は、単層の培養物への高い平均電力密度の直接ばく露を可能にするイン・ビトロ手法と走査電子顕微鏡法および透過電子顕微鏡法を組み合わせた方法を用いて、BHK-21 / C13細胞でのミリ波放射の熱的影響および非熱的影響の両方が探索された。EまたはUバンドの導波管の開放端に培養皿を置いてばく露が行われた。この手法では、導波管開口の長軸に沿った並んだ単層細胞群の各領域を異なる電力密度（開口の端ではゼロ、中央では平均電力密度の2倍）でばく露できる。その結果、1時間（41.8または74.0GHz、平均電力密度= 320または450mW / cm 2）のマイクロ波ばく露は、培地の急速再循環による冷却の有無にかかわらず、細胞の超微細構造に影響を与えなかった；再循環培養中の温度は37.2℃に保持され、非冷却培養では、どの電力密度でのばく露においても決して42℃を超えなかった；対照的に、単層の温度が44.5℃に達するかまたはそれを超えるように条件下では常に、細胞形態はマイクロ波ばく露の影響を受けた；このような形態変化は、より高い平均電力密度を用いた場合、またはより高い周囲温度（38.5℃以上）での上記の電力密度を放射した場合のどちらでも生じた、と報告している。
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To investigate the ultrastructure of monolayer cell cultures by using scanning electron microscopy and transmission electron microscopy techniques after millimeter wave exposure.
| ばく露 | パラメータ |
|---|---|
|
ばく露1:
41.8 GHz
Modulation type:
CW
ばく露時間:
continuous for 1 h
|
|
|
ばく露2:
74 GHz
Modulation type:
CW
ばく露時間:
continuous for 1 h
|
|
|
ばく露3:
41.8 GHz
Modulation type:
CW
ばく露時間:
continuous for 1 h
|
| 周波数 | 41.8 GHz |
|---|---|
| タイプ |
|
| ばく露時間 | continuous for 1 h |
| Modulation type | CW |
|---|
| ばく露の発生源／構造 | |
|---|---|
| ばく露装置の詳細 | culture dishes placed on the open end of the waveguide |
| Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
| 周波数 | 41.8 GHz |
|---|---|
| タイプ |
|
| ばく露時間 | continuous for 1 h |
| Modulation type | CW |
|---|
| ばく露の発生源／構造 |
|
|---|---|
| Sham exposure | A sham exposure was conducted. |
Cell ultrastructure was found to be unaffected by millimeter wave exposure when temperature did not exceed 42°C. If the temperature reached or exceeded 44.5°C cell morphology was affected (e.g. large empty vesicles in the cytoplasm, increased clumping of heterochromatin).
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