本研究では、2450MHzの高周波電磁界（HFEMFs）へのばく露は、A172細胞においてストレス反応を起こす環境障害として作用するかどうかを、HSP70およびHSP27をストレスマーカーとして用いて、調べた。細胞を高比吸収率（SARs: 5～200W/kg）の2450MHz電磁界にばく露し、同時に擬似条件下である。50-200W/kgSARで2450MHzのHFEMは培養培地の温度を上昇させ、そのため、適時な対照（38-44度）を設けた。HSP70およびHSP27の発現、リン酸化HSP27（78Ser）（p-HSP27）レベルも同様に、ウェスタンブロッティングによって測定した。その結論、HSP70の発現は時間と共に増加し、1～3時間において50W/kg以上で量依存性を示した。同じ結果が対照の熱コントロールでも観察された。HSP27発現について、5-200W/kgでのHFEM、または1～3時間に相当する熱ともに変化はなかった。しかしながら、100と200W/kgにおけるHSP27のリン酸化は、40～44度における時よりも大きく一時的に増加した。HSP27のリン酸化は、HFEMF、100W/kgへの1時間のばく露後、最大になった。結論として、2450MHzのHFEMFへのばく露は、HSP70 およびHSP27発現に対し殆ど、または全く影響を持たないことが得られた。
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