研究のタイプ: 医学／生物学の研究 (experimental study)

[細胞死と遺伝子発現の種々なモードに対する高周波電磁界の影響] med./bio.

Influence of high-frequency electromagnetic fields on different modes of cell death and gene expression

著者: Port M, Abend M, Romer B, Van Beuningen D
掲載誌: Int J Radiat Biol 2003; 79 (9): 701-708
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この研究は、細胞死のさまざまなモード、腫瘍形成に関連する遺伝子発現修飾などの生物学的影響が、ICNIRPが安全側で決定した非熱的作用の閾値を上回る電磁界レベルで起こるか否かを調べた。インビトロで増殖させたヒト白血病細胞（HL-60）に、高電圧GTEMセルを用いて電磁界（EMF; t 1/2（r）約1 ns；ICNIRPの職業ばく露の参考レベルの約25倍の電界強度）のばく露を与えた。ばく露から0、24、48および72時間後にHL-60細胞を回収した。形態学的クライテリアに拠って、小核、アポトーシス、および異常細胞（壊死など）を判定した。並行して、Atlas Human 1.2 Arrayを使用して1176個の遺伝子の発現を測定した。2つの独立した実験から得られたデータ再現性の高さ（> 99％）基づいて、アレイ解析は実行された。その結果、アポトーシス、小核形成、異常細胞、差次的遺伝子発現に有意な変化は見られなかった、と報告している。

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研究目的（著者による）

To examine whether biological effects such as different modes of cell death and gene expression modifications related to tumorigenesis are detectable above the limit value defined by the International Commission on Non-Ionizing Radiation Protection (ICNIRP).

影響評価項目

ばく露

ばく露 パラメータ
ばく露1: 400 MHz
Modulation type: pulsed
ばく露時間: 6 min

ばく露1

主たる特性
周波数 400 MHz
特性
  • guided field
ばく露時間 6 min
Modulation
Modulation type pulsed
Rise time 1 ns
Repetition frequency 1 Hz
ばく露装置
ばく露の発生源／構造
  • GTEMセル
パラメータ
測定量 値 種別 Method Mass 備考
電界強度 500 V/cm unspecified 測定値 - -

ばく露を受けた生物:

方法 影響評価項目／測定パラメータ／方法

研究対象とした生物試料:
調査の時期:
  • ばく露後

研究の主なアウトカム（著者による）

Irradiation of HL-60 cells to electromagnetic fields 25 times higher than the ICNIRP reference levels for occupational exposure failed to induce any changes in apoptosis, micronucleation, abnormal morphologies and gene expression.

研究の種別:

研究助成

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