文献検索結果

23115件の論文が見つかりました。

キーワード: Magnetfeld, MF, "magnetic field", 磁界

• 2012, Kim SB, Kim JY, Park SW, Lee NR, Lee SW, Kim YH, Lee YH
  [侵襲的な手での鍼治療の代替となる2つの非侵襲的治療法である経皮的電気刺激とパルス電磁界刺激の比較] [med. app.]
  Acupunct Electrother Res 37 (4): 247-261
• 2012, Satta G, Pilleri M, Garofalo E, Masala E, Pili C, Tocco A, Ursi M, D'Andrea I, Campagna M, Carta W, Castellet y Ballara A, Chiodini S, Nonne T, Sartorello A, Addis M, Cocco P
  [Salto di Quirra軍用基地の軍人および文官の子孫における先天奇形リスクの評価：予備的結果] [foreign-language]
  G Ital Med Lav Ergon 34 (3) Suppl: 599-601
• 2012, Bini M, Feroldi P, Ferri C, Ignesti A, Olmi R, Priori S, Riminesi C, Tobia L
  [衛生分野での安全性および電磁両立性] [foreign-language]
  G Ital Med Lav Ergon 34 (3) Suppl: 595-598
• 2012, Miyata K, Hasegawa M, Abe Y, Tabuchi T, Namiki T, Ishigami T
  [3.0TのMRI検査における歯科用磁気アタッチメントの無線周波加熱および磁気誘導変位] [dev./impl.]
  Dentomaxillofac Radiol 41 (8): 668-674
• 2012, Touitou Y, Selmaoui B
  [詳細] [概日リズムの2つのマーカであるメラトニンとコルチゾールに対する超低周波磁界の影響] [review]
  Dialogues Clin Neurosci 14 (4): 381-399
• 2012, Takeuchi N, Tada T, Matsuo Y, Ikoma K
  [脳卒中後における低周波反復的TMSと陽極経頭蓋DCSの組合せは病変反対側への抑制的rTMSにより生じる両手運動の一時的低下を防止する] [med. app.]
  Neurorehabil Neural Repair 26 (8): 988-998
• 2012, Turk EA, Kopanoglu E, Guney S, Bugdayci KE, Ider YZ, Erturk VB, Atalar E
  [MRI検査中の能動的インプラント表面での磁場勾配誘導電位に関する簡単な解析的表現] [dev./impl.]
  IEEE Trans Biomed Eng 59 (10): 2845-2851
• 2012, Barsam T, Monazzam MR, Haghdoost AA, Ghotbi MR, Dehghan SF
  [詳細] [高電圧変電所における超低周波電磁界ばく露が睡眠の質に及ぼす影響] [epidem.]
  Iranian J Environ Health Sci Eng 9 (1): 15
• 2012, Torii T, Sato A, Iwahashi M, Itoh Y, Iramina K
  [縁上回の低周波反復的経頭蓋磁気刺激の時間依存的な効果] [med. app.]
  2012 Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society, San Diego, CA, USA. IEEE: pp. 3372-3375; ISBN 978-1-4577-1787-1
• 2012, Marracino P, Migliorati M, Paffi A, Liberti M, Denzi A, D'Inzeo G, Apollonio F
  [酵素における信号変換：スーパーオキシドジスムターゼ（SOD）への電磁界刺激の影響] [tech./dosim.]
  2012 Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society, San Diego, CA, USA. IEEE: pp. 5674-5677; ISBN 978-1-4577-1787-1