＜目的＞一般大衆の一日許容量である100μTの正弦波磁界と55μT静止磁界がc-junおよびc-fosタンパク発現にどのように影響するか検討する。 ＜方法＞培養細胞は、まずγ線を0.7Gymin-1で一次培養は、2Gy、不死化細胞は6Gy照射した。一時間後、50Hz、100μTの正弦波磁界と55μT静止磁界を0.5、3、5および9時間照射した。その後細胞を溶解し、SDS-PAGEし、抗c-junおよびc-fos抗体でウエスタンブロットした。 ＜結果及び結論＞ラット気管上皮細胞の一次培養およびその不死化細胞RTSVを30分磁界に曝露するとc-junタンパクの発現が3倍となった。1.5のγ線照射でも同様の発現誘導があった。これより長い曝露ではc-junタンパクの発現は対照群と同様の値に戻った。不死化細胞TCIVでは5時間のγ線および磁界照射でc-junタンパクの一過性発現増強があった。磁界では2倍、γ線では2.6倍であった。c-fosの発現は不死化細胞TCIVでは起こらなかった。γ線と磁界の相乗効果は見られなかった。
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