[ヒト由来細胞株に職業関連ばく露によって生じたDNA損傷に対する高周波(1950 MHz)および超低周波(50 Hz)電磁界のインパクト] med./bio.

Impact of high (1950 MHz) and extremely low (50 Hz) frequency electromagnetic fields on DNA damage caused by occupationally relevant exposures in human derived cell lines

掲載誌: Toxicol In Vitro 2024; 100: 105902

この研究は、神経膠腫細胞株(1321N1)におけるDNA安定性に対する高周波電磁界(1950 MHz、UMTS信号)の影響と、ヒト由来リンパ腫(Jurkat)細胞における低周波電磁界(50 Hz)の影響を調べた。これらの電磁界化学的に誘発されたDNA損傷に影響を与えるかどうかを調べるため、共ばく露実験を行った。細胞高周波または低周波ばく露し、同時および逐次に変異原で処理した。これらの化合物は異なる分子メカニズムを通じてDNA損傷を引き起こす。たとえば、UV光に特徴的なピリミジン二量体(4-ニトロキノリン1-オキシド、4NQO)、塊状塩基付加物(ベンゾ[a]ピレンジオレポキシド、BPDE)、DNA-DNAおよびDNA-タンパク質クロスリンク、酸化損傷(NiCl2、CrO3)などである。DNA損傷を、単細胞ゲル電気泳動(コメット)アッセイで測定した。その結果、神経膠腫細胞株において、高周波および低周波電磁界による4NQO誘発DNA損傷の軽減が観察されたが、他のすべての実験系列において化学的に誘発されたDNA移動には有意な変化が見られなかった。この中程度の損傷軽減の生物学的結果は不明であるが、この研究結果は、携帯電話および電力線特有の電磁界への急性曝露が、職業上関連する化学物質ばく露によって引き起こされる遺伝毒性効果を増強しないことを示唆している、と著者らは結論付けている。

ばく露