[培養した皮質ニューロンのネットワークの高周波で誘導した抑制とムシモールで誘導した抑制との比較研究] med./bio.

先行研究では、自発的に活動的な皮質ニューロンの培養ネットワークは、高周波（RF）電磁界に感受性があり、ばく露時間および電力の増加と共に抑制応答がより強調されることが示されている。この影響の背後にあるメカニズムをより良く理解するため、この研究は、RF電磁界（連続波、1800 MHz）とガンマアミノ酪酸A型（GABAA）受容体作動薬のムシモール（MU）の抑制作用における類似点および相違点を同定することを目的とした。RFばく露に応答したネットワークバースト活性の抑制は、28.6 W/kgの比吸収率（SAR）レベルで明らかとなり、培地温度の~1°Cの上昇と同時に発生した。RFばく露はスパイク活動でのバーストを優先的に抑制し、ニューラルネットワークバースト同期に対する制約はより少なく、MUによる薬理学的阻害とは異なっていた。MU洗浄後の緊張性過分極の除去に続いて、皮質ニューロンに固有の特性に依存する現象であるネットワークリバウンド励起が認められたが、これはRFばく露の中断への反応では認められなかった。単一ニューロンのレベルでは、MUおよびRF電磁界で誘導したネットワーク抑制は、活動電位の半値幅の低下と共に発生した。活動電位の波形の変化はシナプス伝達の効率に強い影響力を及ぼすことから、RFばく露下で見られた活動電位に対する狭窄作用が、ネットワークバースト活性の低下に寄与しているかもしれない。これらのデータからは、RF電磁界による抑制作用のメカニズムは、GABAA受容体の活性化が介在するそれとは異なることが示唆される、と著者らは結論付けている。