この研究は、次の3点を調べた:(1) 直流電界(DCEF)ばく露時のラット骨髄間葉系幹細胞(rBMSC)の遊走の方向性;(2) DCEFの最適な強度およびばく露時間;(3) rBMSCのSDF-1/CXCR4軸がDCEFによる遊走を調節する役割を持つ可能性。結果として、rBMSCはDCEFの正極方向へ遊走した;電界強度200mV/mm、4時間のばく露が遊走増強に最適であった;この条件で、骨形成遺伝子(ALP、OCNなど)の発現が増加し、ALPおよびRunx2タンパク質の発現が増加した;CXCR4を阻害すると、DCEFによる遊走は部分的に抑制された、と報告している。
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