この研究は、無線周波(RF)放射によって培養細胞に生じた上皮成長因子(EGF)受容体のクラスタリング及びリン酸化反応に対する、時間的に非コヒーレントな磁界の影響を調べた細胞実験である。ヒト羊膜上皮(FL)細胞を15分間、1.8GHzのRF(217Hz変調)、2μTの非コヒーレント磁界、RFと非コヒーレント磁界の両方、のいずれかにばく露した。その結果、SARが0.5、1.0、2.0、4.0W/kgでの1.8GHzのRFへの15分間のばく露は、EGF受容体のクラスタリングを生じ、チロシン-1173残基に対するリン酸化反応を強めたが、SARが0.1W/kgのRFへの15分間のばく露は、これらの影響を有意に生じなかった;2μTの非コヒーレント磁界への15分間のばく露は、FL細胞のEGF受容体のクラスタリング及びリン酸化反応に有意に影響を及ぼさなかった;RFと非コヒーレント磁界の両方にばく露した場合、SARが0.5、1.0、2.0W/kgのRFによって生じたEGF受容体のクラスタリング及びリン酸化反応は完全に抑制されたが、SARが4.0W/kgで生じた影響は抑制されなかった、と報告している。
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