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キーワード: und

• 2021, Zhang C, Wang A, Zhang G, Rong W, Wu C, Huo X
  [圧迫後の雌ラットのエクス・ビボでの脊髄における電界刺激とポリエチレングリコールの併用療法の効果] [med./bio.]
  J Neurosci Res 99 (7): 1850-1863
• 2021, Thöni V, Oliva R, Mauracher D, Egg M
  [治療用核磁気共鳴はコアクロックメカニズムおよび関連する低酸素誘導因子-1に影響を及ぼす] [med./bio.]
  Chronobiol Int 38 (8): 1120-1134
• 2021, Tanikić D, Amelio A
  [交流とバッテリーを用いたノートPCの超低周波磁界の分類] [tech./dosim.]
  2021 20th International Symposium INFOTEH-JAHORINA (INFOTEH), East Sarajevo, Bosnia and Herzegovina. IEEE: pp. 1-6; ISBN 978-1-7281-8230-8
• 2021, Canicattì E, Giampietri E, Brizi D, Fontana N, Monorchio A
  [ポータブル自己保護、高距離および広帯域電磁デバイスの数値ばく露評価] [tech./dosim.]
  IEEE Open Journal of Antennas and Propagation 2: 555-563
• 2021, Tokinobu A, Tanaka K, Arakawa M, Miyake Y
  [妊娠中の母親の誘導加熱式調理器の使用と出生結果：九州沖縄母子衛生研究] [epidem.]
  Bioelectromagnetics 42 (4): 329-335
• 2021, Rashid T, Hasan MN, Mazumdar PS
  [医療、ウェアラブルデバイス、IoTアプリケーション向けのLスロットコンパクトアンテナ] [tech./dosim.]
  2021 International Conference on Information and Communication Technology for Sustainable Development (ICICT4SD), Dhaka, Bangladesh. IEEE: pp. 100-104; ISBN 978-1-6654-4752-2
• 2021, Carter CS, Huang S, Searby C, Cassaidy B, Miller M, Grzesik W, Piorczynski TB, Pak TK, Walsh S, Acevedo M, Zhang Q, Mapuskar K, Milne G, Hinton Jr AO, Guo DF, Weiss RM, Bradberry K, Taylor EB, Rauckhorst A, Dick D, Akurathi V, Falls-Hubert K, Wagner B, Carter W, Wang K, Norris AW, Rahmouni K, Buettner GR, Hansen JM, Spitz DR, Abel ED, Sheffield VC
  [「静磁界および静電界へのばく露が2型糖尿病を治療する理由の対立仮説」への回答] [comment]
  Am J Physiol Endocrinol Metab 320 (5): E1004-E1005
• 2021, Brandt SJ, Oral HY, Arellano-Bravo C, Plawecki MH, Hummer TA, Francis MM
  [統合失調症の治療およびプローブとしての反復的経頭蓋磁気刺激：神経画像の役割と将来の方向性の検討] [review]
  Neurotherapeutics 18 (2): 827-844
• 2021, Kar SK, Singh A
  [医学的に説明できない症状（MUS）の管理における反復的経頭蓋磁気刺激法（rTMS）：課題と範囲] [comment]
  CNS Spectr: 1-2
• 2021, Dyachkova ES, Mindubaev EA
  [手術室でのワイヤレス電力伝送の概念の調査と安全性の評価] [tech./dosim.]
  2021 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (ElConRus), St. Petersburg, Moscow, Russia. IEEE: pp. 2795-2798; ISBN 978-1-6654-4642-6