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キーワード: "electric field", "Elektrisches Feld", EF, 電界

• 2024, Haussmann N, Stroka S, Kalahroudi SM, Clemens M
  [低周波数値ドシメトリシミュレーションにおける材料特性のスムージングのためのポイントクラウドの使用] [tech./dosim.]
  2024 IEEE 21st Biennial Conference on Electromagnetic Field Computation (CEFC), Jeju, Republic of Korea. IEEE: pp. 1-2; ISBN 9798350348965
• 2024, Sato T, Katagiri N, Suganuma S, Laakso I, Tanabe S, Osu R, Tanaka S, Yamaguchi T
  [M1およびSMAの両方を刺激するためのtDCS電極配置のシミュレーションは、電流の流れの方向に応じて運動機能を向上させ、皮質興奮性を調節する] [med. app.]
  Front Neurosci 18: 1362607
• 2024, Zhu S, Zhang T, Ru Y, Yang K, Su J
  [テラヘルツ電界は水の「凍結ボタン」として機能する] [tech./dosim.]
  Physica E Low Dimens Syst Nanostruct 163: 116037
• 2024, Hananeia N, Ebner C, Galanis C, Cuntz H, Opitz A, Vlachos A, Jedlicka P
  [錐体ニューロンの樹状突起における経頭蓋磁気刺激によって誘導される位置依存性および周波数依存性シナプス可塑性のマルチスケールモデリング] [tech./dosim.]
  2024.07.03.601851
• 2024, Kranold L, Jingtian X, Goren T, Kuster N
  [インプラントを持つ人々：電磁界ばく露規制で見過ごされている集団か？] [dev./impl.]
  2024 IEEE MTT-S International Microwave Biomedical Conference (IMBioC), Montreal, QC, Canada. IEEE, Kanada: pp. 119-121; ISBN 9798350351064
• 2024, Berckmans Y, Ene HM, Ben-Meir K, Martinez-Conde A, Wouters R, Van den Ende B, Van Mechelen S, Monin R, Frechtel-Gerzi R, Gabay H, Dor-On E, Haber A, Weinberg U, Vergote I, Giladi M, Coosemans A, Palti Y
  [腫瘍治療電界療法（TTFields）は卵巣がん細胞に相同組換え欠損を誘導し、薬剤耐性を軽減する] [med./bio.]
  Front Oncol 14: 1402851
• 2024, Wang B, Peterchev AV, Gaugain G, Ilmoniemi RJ, Grill WM, Bikson M, Nikolayev D
  [神経調節における準静的近似] [basics]
  J Neural Eng 21 (4): 041002
• 2024, Ahtiainen A, Leydolph L, Tanskanen JMA, Hunold A, Haueisen J, Hyttinen JAK
  [イン・ビトロでのニューロンの電界時間干渉刺激] [med./bio.]
  Lab Chip 24 (16): 3945-3957
• 2024, Bougandoura O, Achour Y, Zaoui A, Starzyński J
  [ホジキン・ハクスリーモデルを通じて活動電位を組み込む新しい生細胞の電気モデルにおけるパラメータの特性評価] [tech./dosim.]
  Electromagn Biol Med 43 (3): 187-203
• 2024, Wang H, Xu S, Yu J, Lu S, Zhu Y, Du P
  [ニューラルネットワークに基づく500 kV変電所作業員の職業ばく露と影響要因の分析] [tech./dosim.]
  2024 5th International Seminar on Artificial Intelligence, Networking and Information Technology (AINIT), Nanjing, China. 5巻; IEEE, China: pp. 1926-1929; ISBN 9798350385564