＜目的＞Kirschvinkにより提唱された強磁性形質導入モデルを、直流磁界やパルス磁界がてんかん患者に影響を与えることおよび携帯電話からの非連続的な磁界曝露と人間の脳における通常細胞の分裂とのかかわりに関係するメカニズムの説明に適用すること。 ＜方法＞強磁性形質導入モデル（生物由来のマグネタイト粒子と人間の脳における膜イオンゲートとのカップリングが環境磁界と人体との相互作用メカニズムであるとする仮説）を10Hz以下の低周波に対して拡張し理論的検討を行う。 ＜結果＞矩形パルス磁界と直流磁界が、通常の神経生理的プロセスを混乱させるのに十分な時間、イオン膜ゲートを開く力を持つことを示した。また、このモデルにより、直流磁界やパルス磁界がてんかん患者に影響を与えること、および携帯電話からの非連続的な磁界曝露が人間の脳における通常細胞の分裂に与える影響を説明できることを示した。
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