この研究の目的は、周期的な非正弦波形に対する、誘起される内部電界の基本制限と、外部磁束密度の参照レベルを導出することであった。具体的には、現在のばく露基準における正弦波形に適用される制限の倍数として、これらを定めることを目指した。非正弦波形と正弦波形の両方に対し、電気刺激の法則と空間的に拡張された非線形ノード計算モデルを用いて、内部電界の末梢神経刺激閾値を導出した。閾値比(非正弦波形対正弦波形)に基づき、基本制限および参照レベルを、正弦波形の倍数として導出することを可能とした。両モデルからの閾値比の相互比較の結果、周期に対して立ち上がり時間が速いフラットトップの磁束密度波形については整合性が認められたが、連続的な正弦波については不一致が見られた。計算モデルの結果を、変換に使用する閾値比の確立に用いた。導出された非正弦波形の基本制限と参照レベルは、周波数との間に正弦波形と同様の関数関係を持つことが判明した。すなわち、レオベース領域と、周波数依存性(基本制限)または周波数の逆数依存性(参照レベル)の部分で構成され、遷移周波数でレオベースと交差する。この遷移周波数は波形に依存する。遷移周波数を超えると、非正弦波形の基本制限は磁束密度の立ち上がり時間と逆相関関係にあることが判明し、立ち上がりの速い波形に対して制限値が増加する。立ち上がりの速い波形の遷移周波数は、正弦波形に比べて低下する。同じ遷移周波数を超えると、非正弦波形の参照レベルは周波数に対して一定となり、正弦波形に比べて約79%低い値となることが判明した、と著者は報告している。
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