この研究は、第2世代(2G)およおび第3世代(3G)携帯電話から発せられる高周波(RF)電磁界への慢性ばく露が、ニワトリ胚の脳におけるDNA損傷を生じるかどうかを調べた。受精卵をばく露群A(2G放射にばく露、72分間/日、24個)、ばく露群B(3G放射にばく露、72分間/日、24個)、擬似ばく露対照群C(24個)に割り付けた。ばく露終了後、9-12日目のニワトリ胚から脳を摘出し、アルカリコメット解析でDNA損傷を評価した。結果を一元配置分散分析(ANOVA)で比較した。その結果、2Gおよび3G放射にばく露したニワトリ胚の脳では、平均コメット長(p < 0.001)、平均テイル長(p < 0.001)、平均DNAテイルパーセンテージ(p < 0.001)および平均テイルモーメント(p < 0.01)の増加が認められ、DNA損傷の増加が示唆された。この変化は3Gばく露群でより顕著であった、と著者らは結論付けている。
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