[スマートサーフェイスの高周波電磁界ばく露の適合性評価：二つの近似アプローチ] tech./dosim.

この論文の著者らは、第6世代移動通信（6G）用の有望な技術の一つとされるスマートサーフェイスの高周波（RF）電磁界の適合性評価のための2つのアプローチであるアレイ理論アプローチと等価電流アプローチを調べた。ビーム、大きさ、形状が異なるスマートサーフェイスを設計・評価・分析し、その結果を全波シミュレーションに基づく参照アプローチと比較した。これら二つの近似アプローチでは評価時間が有意に改善され、考えられる多数のビーム状態のばく露シナリオでの適合性評価に極めて有益である一方、評価精度は本質的にシステムの構成に依存することが示された。特に、直径が素子の周期性の21倍に等しい円形のスマートサーフェイスでは、スキャン角度がブロードサイドから遠方にある極端な状況を除いて、アレイ理論アプローチおよび等価電流アプローチについて相対誤差がそれぞれ30%および24%を超えない前方の適合性間隔の過大評価となる、と著者らは報告している。