磁気共鳴画像撮影(MRI)を受ける整形外科用インプラントを移植した患者が増加している。欧州連合(EU)の医療機器規則の下では、規制への適合性の確保のため、全てのインプラントに対してMRI安全性ラベリングが求められ、各デバイスは標準化された検査手順を通じて評価される。この論文の著者らは、パラメトリック研究を用いて、組織の加熱を生じる各種の臨床的に重要な要因を評価し、高周波(RF)および(文献ではしばしば見過ごされる)傾斜コイル(GC)切替磁界のシミュレーションを実施し、最悪ケースのシナリオを検討している。GC磁界については、体積の大きいインプラントおよび面積の大きいプレートが、その面と垂直に磁界が交差する場合、最も高い加熱レベルが生じ、これは磁界の切替速度に比例する。RF電磁界からのインプラントの加熱は主に、共振長を有する薄い線形のインプラントへのアンテナ効果によって誘導され、最も高い温度上昇を生じる。この著者らは、シミュレーションの結果の精度を損なうことなく、電磁界のシーケンスおよびデバイスのジオメトリを単純化し、デバイスの製造者による適合性評価のためのインプラントの加熱の一般的な推定を可能にしている。
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