この研究は、健康な若齢成人の熱痛閾値に対するLTE携帯電話の無線周波（RF）電磁界への急性ばく露の影響を調べた。先行研究で検証済みのカプサイシンで誘導した痛覚過敏モデルについてのプロトコルを用いた。このプロトコルでは、UMTS携帯電話を模擬したRF波源からのばく露は疑似ばく露条件と比較して、有害な反復的熱刺激に対するやや強めの脱感作を生じることが示されている。これと同じ実験デザインを用いたところ、熱痛閾値に対するLTEばく露の影響は認められなかった。この結果は、影響はプラセボ／ノセボ効果によるものである可能性が高く、LTE電磁界への短時間の急性ばく露そのものとは関連しない、ということを示唆した先行研究の証拠と整合する。UMTSばく露についての先行研究の結果と一致しないという事実は、RF変調が痛覚閾値に及ぼす影響は異なることを含意しており、更なる研究が必要であることを指摘するものである、と著者らは結論付けている。
このウェブサイトはクッキー（Cookies）を使って、最善のブラウジングエクスペリエンスを提供しています。あなたがこのウェブサイトを継続して使用することで、私たちがクッキーを使用することを許可することになります。
