[高強度の中間周波磁界ばく露による培養ニューロンにおける刺激応答のリアルタイム検出] med./bio.

この研究は、20 kHzの高強度中間周波磁界（hIF-MF）ばく露装置、非導電性ファイバー型蛍光観察（NCFI）システムを、マイクロパターニング技術と組み合わせて、ラットの脳由来培養ニューロンの興奮部位に固有の刺激応答を評価した。hIF-MFばく露装置及びNCFIシステムは、20 kHz、70 mT（ピーク値）、バースト型の正弦波hIF-MFへのばく露中の、神経細胞体または無髄神経細胞における細胞内カルシウム（[Ca2+]i）のリアルタイムでの検出を可能にするものである。細胞外溶液における誘導電界強度のドシメトリでは、無髄神経線維の約50%が、約147 V/mで応答することが示された。対照的に、神経細胞体における[Ca2+]iスパイクの閾値は無髄神経線維における閾値よりも低かった。この結果は、hIF-MFに対する応答の部位に固有の差の理解の根拠を提示するものである、と著者らは結論付けている。