先行研究では、ラットまたはラットの脳切片を外部の磁界ばく露装置で刺激した後、パッチクランプ灌流チャンバーに移し、電気生理学的特徴を記録した（オフライン磁界ばく露）が、このアプローチは脳切片の移動の影響等による多くの状来に対して敏感であることから、この研究では、パッチクランプのセットアップを改良して、オンラインで低周波磁界刺激できるようにした。刺激コイルのコンピュータシミュレーションを実施し、オンライン磁界の分布の一様性を記述した。その後、0.5、1、2 mTの、15、50、100 Hz磁界を切片に印加し、シナプス可塑性への影響を調べた。その結果、オンラインの連続またはパルス化した正弦波低周波磁界刺激の下では、磁界興奮性シナプス後電位の傾きが有意に低下することが示された。これらの結果は、100 Hzのパルス化正弦波低周波磁界の役割は長期増強のインデューサーではなく、単なるモジュレーターであることを強調している、と著者らは結論付けている。
このウェブサイトはクッキー（Cookies）を使って、最善のブラウジングエクスペリエンスを提供しています。あなたがこのウェブサイトを継続して使用することで、私たちがクッキーを使用することを許可することになります。
