この研究は、3種類のヒト細胞(肺小細胞がん細胞H69、膀胱がん細胞SW780、白血病細胞U937)を用いて、電気穿孔後の細胞生存率に対するカルシウム濃度(1、3、5mM)および99マイクロ秒パルス電界の電界強度(0.8、1.0、1.2、1.4、1.6kV/cm)の影響を調べた。いずれの実験条件においてもパルスは8発与えた。電気穿孔処置後に、細胞の生存を観察し、細胞内ATPを測定した。その結果、H69およびSW780細胞において、カルシウム濃度および電界強度に依存して、細胞内ATPが減少し、生存率が低下した;U937細胞の細胞内ATPは対照群の3分の1に低下した、と報告している。
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