[GSM携帯電話からの超低周波磁界ばく露の評価] tech./dosim.

この研究は、GSM携帯電話から発生する超低周波（ELF）磁界の測定を行った。測定したのは、各メーカから提供された47機種のGSM携帯電話である。これらは、1997年から2008年に販売されたもの（2003-5年が主）の代表的機種である。この研究は、疫学研究MOBI-KIDSの一環として、一般的な機種からのELF磁界を確認し、分類するために実施した。携帯電話の表面上から25mm離れた面上での2次元磁束密度分布を測定した。その結果、電話機前面の測定面での217Hzの磁束密度の最大値は、21 nTから1178 nTの範囲にばらつき、幾何平均は221（+198/-104）nTであった；高調波も考慮に入れると、携帯電話は公衆のELF磁界ばく露にかなり寄与する可能性が示された；製造業者および機種の形状が磁束密度の空間特性に関連する重要なパラメータであることが示唆されたので、それに基づき3つのグループが定義される可能性があった；MOBI-KIDS調査において、GSM携帯電話からのELF磁界ばく露のカテゴリー化はこの定義によって達成できるかも知れないが、その場合、対象者が使用している機種に基づいて分類した高ばく露群と低ばく露群では、両群にオーバーラップがあるものの、約2倍のばく露の違いが生じると思われる、と報告している。