【目的】ヒト臍帯静脈内皮細胞(HUVEC)の静磁界感受性に関するデータを提示すること。【方法】低レベル静磁界(LLF;0.2-1μT)、および30、120μT静磁界が内皮細胞の増殖に与える影響を調べた。初代HUVECを培養し、それぞれの磁界レベルにばく露した。LLFは地磁気遮蔽シリンダー内に留置。その他の磁界レベルはヘルムホルツコイルで生成。全てのばく露は同じインキュベータ内で行った。【結果】30μTと120μT静磁界では細胞増殖に若干の違いがあったが、静磁界をLLFにまで減少させると明らかに増殖は抑制された。LLFを実験に導入した理由は、相互作用について可能性のあるメカニズムを明示するためである。静磁界の30μTという小さな差異が、内皮細胞増殖を有意に減少させた。フリーラジカル消去剤SODを添加した場合、120μT静磁界による細胞増殖の増強は抑制された。静磁界はフリーラジカルを介して内皮細胞と相互作用することが考えられる。
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