この研究は、がん由来細胞株(HCT116、HT1080)の細胞周期に対する静磁界の小幅な変化の影響を調べた。各細胞を3つのレベルの静磁界ばく露下で培養し、ばく露4日目まで細胞数を観察した。3つのレベルは、(1) 培養器内バックグラウンドレベル(6-13 μT); (2)無擾乱地磁気平均レベル(43-45 μT); (3) 地磁気を打ち消す磁界を発生させた低減磁界(0.2-0.5 μT)である。その結果、磁界レベルが高い群で増殖速度が高かった、などの結果を報告している。
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