この研究は、細胞と電界の理論モデルを用いて、分裂中の細胞に損傷を与えうる静電界の強度を推定した。このモデルでは、分裂しかかっている細胞のくびれ部で電界が強まり、その大きさはアバランシェ過程を通して分子間の化学結合を切断するに十分なレベルであることを論証した述べ、数値的には、外部から印加する電界強度が4 V/cmで分裂期のがん細胞を傷害できると報告している。
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