組織モデルの近傍におかれている半波長ダイポールからのマイクロ波照射で生じる誘導電界とSAR、得られる過渡的、定常的な温度上昇の数値計算結果を示す。組織の半無限均一平面、均一な球、組織に等価な物質を満たした頭部のファントムモデル、均一な誘電特性をもつ頭部の数値モデル(CTで作成)、種々な組織に対応する誘電特性を持つ頭部の数値モデルなどの方法を試している。電磁界計算は900と1900MHzで放射されている半波ダイポールで、モデルから種々な距離に置き、FDTD法で行った。温度上昇は、熱方程式の有限要素法で評価した。計算されたSARはKusterらの実験データとかなりよく一致している、この種のばく露ハザードが過度な温度上昇と関係があるとすると、現状のばく露制限値は控えめであり、簡単に実施できるガイドラインで十分であるといえる。
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