半導体製作作業員における極低周波磁界(ELF MF)への職業ばく露を評価するモデルを作成した。ばく露が特定できるELF-FM発生源近くか、高ELF Mfレベルの場所にいるかで、個々の被験者のばくろ露によってモデルを構成させている。ELF-MFばく露を評価するために、被験者の時間的活動パターン(如何にしてまたどこで、被験者が時間を費やしたか)に機器や作業場所からの磁界レベル測定とを重ねたモデルを構築した。3つの製作室で192人の個人ドシメトリーによって検証されたこのモデルは、0.62の相関係数で実際の時間加重平均が予測された。個人のばく露をより正確に予測できないのは、予測できない上昇したELF-MF(トランス、配電パネル、隣室の発生源などによる)、または被験者が装置の近くで過ごした時間を間違えたことなどが理由である。これらの予測不可能なエラーは、ばく露を推定する使用する方法にはつきものである。
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